Foto: informaticaceroFalta menos para conocer las nuevas arquitecturas de Intel y AMD, las cuales darán soporte a la tan esperada memoria DDR5. Por esto, los principales fabricantes de memoria RAM comenzaron a hacer ruido con diferentes anuncios.
Samsung es uno de los que pego fuerte al anunciar lo que dice es el primer módulo de memoria de 512 GB de la industria basado en la tecnología de proceso High-k Metal Gate (HKMG).
Los transistores HKMG existen desde 2007, el primero en utilizarlos fue Intel y estos consisten en combinar una capa dialéctica basada en hafnio (en lugar de dióxido de silicio) con un electrodo hecho de nuevos metales para combatir las fugas, un fenómeno que ocurre a través de un proceso llamado túnel mecánico cuántico.
Según Samsung, su módulo de memoria DDR5 de 512 GB ofrece más del doble del rendimiento de DDR4, hasta 7200 megabits por segundo (Mbps). Esto, dice la compañía, será beneficioso para las cargas de trabajo más extremas que requieren gran cantidad de cómputo y un gran ancho de banda. Esta nueva memoria también utilizará aproximadamente un 13% menos de energía, lo que la hace especialmente adecuada para centros de datos donde la eficiencia energética se vuelve cada vez más crítica.
“Samsung es la única empresa de semiconductores con capacidades de lógica y memoria y la experiencia para incorporar la tecnología lógica de vanguardia HKMG en el desarrollo de productos de memoria”, dijo Young-Soo Sohn, vicepresidente del Grupo de habilitación / planificación de memoria DRAM en Samsung Electronics. “Al llevar este tipo de innovación de procesos a la fabricación de DRAM, podemos ofrecer a nuestros clientes soluciones de memoria de alto rendimiento, pero energéticamente eficientes para alimentar las computadoras necesarias para la investigación médica, los mercados financieros, la conducción autónoma, las ciudades inteligentes y más”.
El proceso HKMG se adoptó en la memoria GDDR6 de Samsung en 2018 por primera vez en la industria. Al expandir su uso en DDR5, Samsung está consolidando aún más su liderazgo en tecnología DRAM de próxima generación.
Aprovechando la tecnología mediante silicio a través de (TSV), la DDR5 de Samsung apila ocho capas de chips DRAM de 16 Gb para ofrecer la mayor capacidad. TSV se utilizó por primera vez en DRAM en 2014 cuando Samsung introdujo módulos de servidor con capacidades de hasta 256 GB. (informaticacero)
